凉城矿用光缆MGXTSV-4B1凉城

 中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。
凉城矿用光缆MGXTSV-4B1凉城产品名称：同轴射频电缆
产品规格：SYV  75-2-1x8 凉城矿用光缆MGXTSV-4B1凉城

使用范围

SYV-75-2-1*8射频电缆采用实心聚乙绝缘，铜丝使用无氧铜，材质好，不易氧化。屏蔽密度90%护套使用环保PVC材料。该电缆尺寸小无及衰减低等特点，用于监控线路，会议系统等电子线路架设.工程装修讯号传输.影音器材连接以及其它电子装置，传输射频信号。

传输。

 

凉城矿用光缆MGXTSV-4B1凉城电缆结构

芯线结构：8根SYV75-2-1电线

护套颜色贝吉色(灰色)

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规格	导体直径	绝缘外径	内护套直径	成品外径